本說明書是QS30I型高精密高壓電容電橋的安裝和使用說明書。（包括QS30I-3型量程擴展器及SP-A型打印機）。

QS30I型高精密高壓電容電橋有如下特點。主電橋主要采用電流比較儀的原理并結合計算機數(shù)據(jù)處理，具有操作方便可靠、測量精度高、讀數(shù)位數(shù)多、線性度好，不受環(huán)境濕度影響，儀器內部的計算機能自動對測試數(shù)據(jù)進行處理，直接在面板上顯示電容值及介損值tgδ和測試電壓及流經標準電容的電流（Is），并可通過打印機將測試結果打印出來等優(yōu)點，它不僅能測電容器的電容量、介損量，還能測量電抗器的電感量和Q值是目前國內精度較高、穩(wěn)定性好、操作方便、用途廣泛的高壓電橋。

1.2 性能

QS30I型高壓電橋為實驗室用高精密高壓電橋。主要采用電流比較儀的原理，使它在測量上具有較高的比率精度和穩(wěn)定性，這是一般西林電橋不能達到的。再加上計算機數(shù)據(jù)處理，使測量更加直觀。本電橋可與各類高壓標準電容器配合組成高壓電容電橋，適宜于在高電壓下測量電力電纜、高壓套管、電力電容器、互感器等高壓電力設備的電容量及損耗角正切值tgδ，以及各種固體或液體絕緣材料的介電常數(shù)（ε）及損失角正切值，也可測量高壓變壓器或電壓互感器的比差和角差。電橋可外接電流互感器以擴大量程，測量大電容時本電橋為四端測量具有引線補償裝置，使測量精度提高，消除接線電阻引起的附加誤差。本電橋還可測量電抗器的電感量及Q值。QS30I-3型量程擴展器（供選購）能使主橋體的電容比從1000：1擴大到10⁶：1。

1.3 結構

本電橋放在一個金屬箱體內，指零儀安放在適宜人眼觀察的水平位置。靈敏度調節(jié)開關在表頭的旁邊，橋體安放在指零儀下面，電容比值和介質損耗角正切值讀數(shù)調節(jié)開關固定在面板上。在主橋體與指零儀的之間，是被測試品的電容量量、介損量、測試電壓或測試電流的顯示窗，在其旁邊是電容量的預置盤。電橋本體的環(huán)形電流比較儀裝在一個磁屏蔽盒內，它的鐵芯采用超高導磁材料卷饒成環(huán)形，對內外磁場有較好的抗干擾性能，具有很高精度的比差和角差。主運算放大器、引線補償放大器及微機處理器都在箱體內部一個金屬屏蔽盒內，電橋工作電源采用了開關電源，具有很寬的工作范圍，也安裝在金屬屏蔽盒內。

連接標準電容器與被測試品的插座在儀器背部，接地端鈕前后共有兩處，外接線采用屏蔽電纜，電橋裝置箱體作為靜電屏蔽以免干擾。

1.4 主要技術指標

• 電橋電容比Cx/Cs（當額定比率為1：1時）為0到1.111110，步級0.000001，倍率（K）變化范圍為1000、500、200、100、50、20、10、5、2、1共十檔，電容的測量范圍取決于標準電容器Cs的大小電容值，即Cx=Cs·K·（Cx/Cs）
• 電容比率值的測量準確度：電容比率讀數(shù)*只盤為滿度時應不大于

當 tgδ< 3×10^-3  為±0.00005

tgδ≥3×10^-3      為±0.00005±0.005×tgδx

• 電橋tgδ范圍為-0.111110到+0.111110，步級為0.000001。
• tgδx測量準確度不大于±0.5% tgδx±5×10^-5
• 被測電容量顯示：Cx=（0.1~1111.1110）Cn

顯示為被測電容量的前6位有效數(shù)字。

1.K_0、K₁為次級1000匝（含輔助1000匝），初級Nx分別為1匝、2匝、5匝、10匝、100 匝。

2.當使用Nx=1T（1匝）、Nx=2T（2匝）時要使用足夠粗的線。

3.使用時要將互感器的兩個接地均牢固接地。

4.精度：（當電橋量范在1000：1時）±1×10^-5。

5.紅色接線端為輸入端

QS30I型高壓電橋電容測量的大倍率為1000:1。當測量大電容器（如電力電容器）時，這一比率值顯得不夠，需配用QS30-3Ⅰ型電流互感器（大比率值可達1000:1），使整個電橋裝置的比率可達10⁶: 1,當選用標準電容器Cs=1000pF時，大測試電容Cxmax可達1000μF。

QS30I-3型電流互感器是一個雙級電流互感器,電流互感器比差<1×10^-4，角差<1×10^-4。外形如圖所示,它具有二組鐵芯,次級繞組N₂=1000匝，以及輔助繞組N₃。

配合QS30I型高壓電橋使用時，次級繞組N₂和輔助繞組N₃并接，低端接地。有關電流互感器的應用可參見QS30I型高壓電橋使用說明書第六項第四條電容及損耗角正切值tgδ的四端測量，第5條電壓變壓器（互感器）的校驗等有關章節(jié)。

    注:可根據(jù)用戶需求來確定Nx的匝數(shù),或留孔由用戶自行穿芯.